一、媒介
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输进极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因而,能够把其看做是MOS输进的达林顿管。它合成了MOSFET的高输进阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频次高 (10-40 kHz) 等特征，已逐渐代替晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前开展最为敏捷的新一代电力电子器件。
普遍利用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机傍边。二、IGBT的工做原理IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三个极掌握。如图1，IGBT的开关感化是通过加正向栅极电压构成沟道，给PNP晶体管供给基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消弭沟道，割断基极电流，使IGBT关断。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,如许PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻形态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截行,割断PNP晶体管基极电流的赐与,使得晶体管截行。
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假设IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低则IGBT不克不及不变的工做，假设过高以至超越栅极—发射极之间的耐压，则IGBT可能会永久损坏。同样，假设IGBT集电极与发射极之间的电压超越容许值，则流过IGBT的电流会超限，招致IGBT的结温超越容许值，此时IGBT也有可能会永久损坏。
三、IGBT极性揣度
对IGBT停止检测时，应选用指针式万用表。起首将万用表拨到R×1KΩ档，用万用表丈量各极之间的阻值，若某一极与其它两极阻值为无限大，互换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无限大，则此极为栅极（G）。再用万用表丈量其余两极之间的阻值，若测得阻值为无限大，互换表笔后阻值较小，当丈量阻值较小时，红表笔接触的为集电极（C），黑表笔接触的为发射极（E）。
四、IGBT好坏的揣度
揣度IGBT好坏时必需选用指针式万用表（电子式万用表内部电池电压太低），也能够利用9V电池取代。起首将万用表拨到R×10KΩ档（R×1KΩ档时，内部电压过低，不敷以使IGBT导通），用黑表笔接IGBT的集电极（C）,红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），那时IGBT被触发导通，万用表的指针明显摆动并指向阻值较小的标的目的并能庇护在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），那时IGBT被阻断，万用表的指针回零。在检测中以上现象均契合，能够断定IGBT是好的，不然该IGBT存在问题。