DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。二者区别如下1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，16bit芯片采用96球FBGA封装，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，4、寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样。
ddr2与ddr3接口一样吗？
Ddr2与ddr3，他的引脚数是一样的，但是引脚的意义不相同，这两个内存条的最大区别是他的凹槽位置不一样，为了防止将ddr2内存插入到ddR3主板上，人们设计了插槽上的凸槽和内存上的凹槽，使用的时候必须相对应，如果插错了，他将无法将两端的卡
内存DD2和DD3区别？
1、DDR2：DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
2、DDR3：采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
一是型号不同，内存dd 2和dd 3的型号是不同的。
二是储量不同，dd 2内存储量小，dd3内存储量大。
三是性能质量不同，dd2性能质量次，dd3性能质量好。
四是用途不同，dd2用于普通产品，dd3用于高端产品。
内存条ddr2与1333的区别？
1333实际是ddr3内存，二者区别如下
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL，Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式。
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR2和DDR3的内存条一般不能同时使用在同一个电脑上，会出现不兼容的情况。
显卡GD2与GD3有什么区别？
所谓的GD2是指显卡的显存是DDR2规格的，GD3就是DDR3规格的显存，GD3的显存速度要比GD2的显存速度快；TC1G是指的显卡的TC技术，显卡共享物理内存达到1GB的显存，TC512M的道理也是一样的。
ddr3 ddr4 lpddr3硬件区别？
1、LPDDR3主要是在功耗上更低，LPDDR3内存主要是在内部空间紧凑的超极本中使用，这是由于单颗LPDDR3容量能够在4GB或者是6GB，而单科DDR4颗粒最大只有2GB，再配合LPDDR3可以直接使用板载设计，因此在超极本上更为常用；
2、在日常的使用中，目前大部分的超极本采用的是双通道的LPDDR3内存，与单条DDR4内存在性能上相比更出色，拥有更好的读写速度；双通道LPDDR3 2133MHz在读、写、复制三方面的性能表现要好于单通道DDR4 2666MHz，追平双通道DDR4 2400MHz，弱于双通道DDR4 2666MH；
3、因此在选购超极本的时候不需要太过于关注内存为LPDDR3还是DDR4，只需要考虑一下内存的容量是否能够满足使用的需要。